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2차원 산화물 반도체 MOSFET 제1원리 기반 TCAD 프레임워크 개발
연구분야 2차원 산화물 반도체 MOSFET 제1원리 기반 TCAD 프레임워크 개발
연구기간 2025~현재
기관 삼성전자DS

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* 연구 과제명: "2차원 산화물 반도체 MOSFET 제1원리 기반 TCAD 프레임워크 개발

* 연구 목표: 산화물 반도체의 계면 물성 및 소자 특성의 원자수준 제1원리 시뮬레이션 분석, 실험 가이드라인 제공

* 연구 파트너: 삼성전자 DS부문 반도체연구소 CSE팀 메모리Simulation그룹 홍성덕 파트장, 이주호 연구원


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